▲경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(왼쪽부터)와 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장이 25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 기념촬영을 하고 있다. 2022.07.25.

(화성/양용기 기자)산업통상자원부는 삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리 공정 기반의 반도체 양산에 성공했다고 25일 밝혔다. 정부는 3나노 반도체의 수요를 이끌 관련 산업의 경쟁력을 강화한다는 방침이다.
이창양 산업부 장관은 이날 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석했다.
이번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것이다. 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 '게이트 올 어라운드(GAA)' 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 높다고 평가된다.
GAA 기술은 반도체 소자인 트랜지스터의 구조를 개선해 접촉 면적을 4개 면으로 확대한 차세대 공정 기술이다. 기존의 3개 면을 접촉하는 핀펫 구조보다 게이트의 면적이 넓어지며 전력은 50% 아낄 수 있고 성능은 30% 높아진다.
산업부는 또한 국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가했다.
아울러 첨단 반도체 제조 시설은 국가 안보자산이기 때문에, 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서도 의미가 크다.
이창양 장관은 이날 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체 산업계의 노력에 감사를 표하며, 3나노 공정의 높은 수율을 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라고 당부했다.
이 장관은 "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 노력을 아끼지 않겠다"며 "이런 노력이 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문 인력 양성에 기여할 것"이라고 말했다.
이어 "3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한 만큼, 미래 수요를 견인할 디스플레이·배터리·미래 모빌리티·로봇·바이오 등 '반도체 플러스 산업'에 대한 경쟁력 강화 방안을 순차적으로 수립해 이행하겠다"고 전했다.

화성/양용기 기자 yk6007@sudokwon.com 화성/양용기 기자의 다른 기사 보기